Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.36

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRF830PBF, Транзистор, N-канал 500В 4.5А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 160 ֏
650 ֏
×
от 15 шт. — 640 ֏
IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
850 ֏
580 ֏
×
от 25 шт. — 540 ֏
IRF840ASPBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [D2-Pak]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/4.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 4
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 280 ֏
800 ֏
×
от 15 шт. — 780 ֏
IRF8707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 11А [SO-8] (=IRF8707PBF)
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
407 ֏
239 ֏
×
от 25 шт. — 223 ֏
IRF8714TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0087 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 71
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
467 ֏
266 ֏
×
от 25 шт. — 213 ֏
IRF8721TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 14А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0085 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
540 ֏
320 ֏
×
от 25 шт. — 304 ֏
IRF8736TRPBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0048 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
540 ֏
320 ֏
×
от 25 шт. — 295 ֏
IRF8788TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 24А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0028 ом при 24a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 95
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
910 ֏
530 ֏
×
от 25 шт. — 510 ֏
IRF9328TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 340 ֏
910 ֏
×
от 15 шт. — 860 ֏
IRF9335TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 5.4А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.059 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
455 ֏
286 ֏
×
от 25 шт. — 266 ֏
IRF9358TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0163 Ом/9.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
530 ֏ ×
от 25 шт. — 499 ֏
IRF9362TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала, 30В, 8А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
434 ֏
×
от 25 шт. — 415 ֏
IRF9389TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 6.8/-4.6А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.8/4.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/6.8А, 10В/0.064 Ом/4.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.2/4.1
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 340 ֏
820 ֏
×
от 25 шт. — 810 ֏
IRF9510PBF, Транзистор, P-канал 100В 4А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 20
Крутизна характеристики, S: 1
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
590 ֏
406 ֏
×
от 15 шт. — 383 ֏
IRF9520PBF, Транзистор, P-канал 100В 6.8А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/4.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
730 ֏
334 ֏
×
от 15 шт. — 314 ֏
IRF9530NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 100В, 14А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.8
Крутизна характеристики, S: 3.2
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 220 ֏
810 ֏
×
от 15 шт. — 750 ֏
IRF9530PBF, Транзистор, P-канал 100В 12А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/7.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 100 ֏
610 ֏
×
от 15 шт. — 590 ֏
IRF9540NSTRLPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [D2-Pak]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.117 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Крутизна характеристики, S: 5.3
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 280 ֏
660 ֏
×
от 15 шт. — 590 ֏
IRF9540PBF, Транзистор, P-канал 100В 19А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 6.2
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 100 ֏
620 ֏
×
от 15 шт. — 600 ֏
IRF9610PBF, Транзистор, P-канал 200В 1.8А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 Ом/0.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 20
Крутизна характеристики, S: 0.9
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
730 ֏
380 ֏
×
от 15 шт. — 364 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60