Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics, стр.4

_{299 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STGW80H65DFB, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 120 А, 469Вт 3 недели, 47 шт. Бренд: ST Microelectronics Корпус: TO-247	быстрый просмотр	3 недели, 47 шт.	2 890 ֏ ×	от 5 шт. — 2 510 ֏ от 9 шт. — 2 340 ֏ от 18 шт. — 2 200 ֏
STGWA40M120DF3, Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 1200В 80A 468Вт 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба 3 недели, 24 шт. Бренд: ST Microelectronics Корпус: TO-247	быстрый просмотр	3 недели, 24 шт.	4 640 ֏ ×	от 3 шт. — 4 300 ֏ от 6 шт. — 4 040 ֏ от 11 шт. — 3 820 ֏
STGWT30V60DF, Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В 3 недели, 68 шт. Бренд: ST Microelectronics Корпус: TO-3P	быстрый просмотр	3 недели, 68 шт.	1 790 ֏ ×	от 7 шт. — 1 530 ֏ от 14 шт. — 1 410 ֏ от 30 шт. — 1 320 ֏
A1C15S12M3, IGBT Modules ACEPACK 1 converter inverter brake 1200 V, 15 A trench gate field-stop IGBT M se 8-10 недель, 8 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8-10 недель, 8 шт.	60 200 ֏ ×
A1C15S12M3-F, IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 15A 9-11 недель, 5 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	9-11 недель, 5 шт.	26 400 ֏ ×
A2C25S12M3, IGBT Modules ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s 8-10 недель, 35 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8-10 недель, 35 шт.	67 200 ֏ ×
A2P75S12M3, БТИЗ массив и модульный транзистор, Six Pack [Full Bridge], 75 А, 1.95 В, 454.5 Вт, 150 °C, Module 9-11 недель, 12 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	9-11 недель, 12 шт.	71 600 ֏ ×	от 5 шт. — 65 500 ֏ от 10 шт. — 63 600 ֏
A2P75S12M3-F, IGBT Modules ACEPACK 2 sixpack topology, 1200 V, 75 A trench gate field-stop IGBT M series, s 8-10 недель, 2 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8-10 недель, 2 шт.	91 500 ֏ ×
STGB10M65DF2, D2PAK IGBTs ROHS 8 недель, 10 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8 недель, 10 шт.	4 760 ֏ ×	от 10 шт. — 3 530 ֏
STGB10M65DF2, IGBT, SINGLE, 650V, 20A, TO-263-3 9-11 недель, 1888 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	9-11 недель, 1888 шт.	2 000 ֏ ×	от 10 шт. — 1 700 ֏ от 100 шт. — 1 390 ֏
STGB10NC60HDT4, IGBT Transistors N Ch 10A 600V 8-10 недель, 1074 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8-10 недель, 1074 шт.	2 000 ֏ ×	от 10 шт. — 1 620 ֏ от 100 шт. — 1 220 ֏ от 250 шт. — 1 110 ֏
STGB10NC60KDT4 IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount 8 недель, 55 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8 недель, 55 шт.	1 830 ֏ ×
STGB10NC60KDT4, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 7-9 недель, 2996 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 2996 шт.	600 ֏ ×
STGB10NC60KDT4, Транзистор БТИЗ, 600В 20A 65Вт D Pak 8 недель, 1263 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8 недель, 1263 шт.	1 280 ֏ ×	от 10 шт. — 850 ֏ от 30 шт. — 720 ֏ от 100 шт. — 620 ֏
STGB10NC60KT4, Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 7-9 недель, 1940 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 1940 шт.	1 020 ֏ ×
STGB14NC60KDT4, IGBT Transistors PowerMESH&#34 IGBT 8-10 недель, 990 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8-10 недель, 990 шт.	2 640 ֏ ×	от 10 шт. — 2 090 ֏ от 100 шт. — 1 550 ֏ от 250 шт. — 1 430 ֏
STGB15H60DF, TO-263-3 IGBTs ROHS 8 недель, 20 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8 недель, 20 шт.	2 430 ֏ ×	от 10 шт. — 1 790 ֏
STGB18N40LZT4 8-10 недель, 990 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8-10 недель, 990 шт.	600 ֏ ×	от 50 шт. — 560 ֏
STGB18N40LZT4, IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V 8-10 недель, 1978 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8-10 недель, 1978 шт.	3 020 ֏ ×	от 10 шт. — 2 380 ֏ от 100 шт. — 1 790 ֏ от 250 шт. — 1 540 ֏
STGB18N40LZT4, IGBT транзистор -- 8 недель, 1094 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	8 недель, 1094 шт.	1 580 ֏ ×	от 10 шт. — 1 070 ֏ от 30 шт. — 910 ֏ от 100 шт. — 770 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ST Microelectronics, стр.4

ООО «ЧИП и ДИП»