Транзисторы полевые N-канальные, стр.18

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
FDPF12N50NZ, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 11.5А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/5.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 42
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
1 930 ֏ ×
от 15 шт. — 1 910 ֏
FDPF18N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 18А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38.5
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 490 ֏
×
от 15 шт. — 1 480 ֏
FDPF33N25T, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 33А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.094 Ом/16.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 380 ֏
×
от 15 шт. — 1 360 ֏
FDPF51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 490 ֏
×
от 15 шт. — 1 480 ֏
FDPF5N50UT, Транзистор N-MOSFET 500В 4А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
1 040 ֏
600 ֏
×
от 15 шт. — 580 ֏
FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А [SOIC-8-0.154]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9.5 Ом/12.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
431 ֏
×
от 5 шт. — 405 ֏
FDS8880, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 11.6А [SOIC-8-0.154"]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/11.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
407 ֏
242 ֏
×
от 25 шт. — 225 ֏
FDV301N, Транзистор N-CH 25V 220MA [SOT-23]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4 Ом/0.4А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 0.2
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
164 ֏
95 ֏
×
от 100 шт. — 86 ֏
FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
4 380 ֏ ×
от 15 шт. — 4 220 ֏
FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В, 4 В [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 48
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
3 520 ֏
2 570 ֏
×
от 15 шт. — 2 540 ֏
FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
3 640 ֏
2 370 ֏
×
от 15 шт. — 2 340 ֏
FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 340 ֏
1 010 ֏
×
от 15 шт. — 950 ֏
FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/7.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
590 ֏
295 ֏
×
от 15 шт. — 276 ֏
FQP13N10, Транзистор N-MOSFET 100В 12.8А 65Вт [TO-220]
11 дней, 309 шт.
Бренд: Inchange
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.18 Ом/6.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 65
Корпус: to-220
быстрый просмотр
11 дней,
309 шт.
408 ֏ ×
от 100 шт. — 371 ֏
FQP13N10L-VB, Транзистор N-MOSFET 100В 18А 105Вт [TO-220AB]
11 дней, 341 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.127 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: to-220
быстрый просмотр
11 дней,
341 шт.
414 ֏ ×
от 15 шт. — 378 ֏
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 195
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 020 ֏
×
от 15 шт. — 1 000 ֏
FQP17N40, Транзистор, QFET, N-канал, 400В, 16А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170
Корпус: to-220
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 460 ֏
×
от 15 шт. — 1 450 ֏
FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.17 Ом/9.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 139
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 160 ֏
770 ֏
×
от 15 шт. — 750 ֏
FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.7 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 54
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 280 ֏
750 ֏
×
от 15 шт. — 730 ֏
FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 32
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 24
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 160 ֏
680 ֏
×
от 15 шт. — 660 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60