Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › P MOSFET

Транзисторы полевые P-канальные, стр.11

_{296 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

SUM110P06-08L-E3, Транзистор MOSFET P-CH 60В 110А [D2PAK (2-pin + Tab) Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 110 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 272 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		5 600 ֏ 3 690 ֏ ×	от 15 шт. — 3 660 ֏
TP0610K-T1-E3, Транзистор, P-канал 60В 0.185А [SOT-23] Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.185 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 0.08 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		243 ֏ 144 ֏ ×	от 100 шт. — 131 ֏
TPSTD10P6F6, Транзистор P-MOSFET 60В 13А 60Вт [D-PAK] 2 недели, 360 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: TO-252	быстрый просмотр	2 недели, 360 шт.	295 ֏ ×	от 15 шт. — 270 ֏
ZVP2106A, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 0.28А [E-Line-3] Бренд: Diodes Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.28 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.7 Корпус: E-Line-3/TO-92	быстрый просмотр		790 ֏ 454 ֏ ×	от 15 шт. — 412 ֏
ZVP3310A, Транзистор, MOSFET, P-канальный, 100 В, 0.14 А, 0.625 Вт, [TO-92-3] Бренд: Diodes Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 20 Ом/0.15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.625 Крутизна характеристики, S: 0.05 Корпус: E-Line-3/TO-92	быстрый просмотр		1 940 ֏ 1 150 ֏ ×	от 10 шт. — 1 140 ֏
КП103И, Транзистор, Р-канал, малой мощности [КТ-17] 2 недели, 61 шт. Бренд: Russia Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.021 Крутизна характеристики, S: 0.8…2.6 Корпус: kt-17	быстрый просмотр	2 недели, 61 шт.	1 580 ֏ 740 ֏ ×	от 15 шт. — 630 ֏
КП103И1, Транзистор, Р-канал, малой мощности [TO-92 / КТ-26] 2 недели, 227 шт. Бренд: Russia Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.021 Крутизна характеристики, S: 0.8…2.6 Корпус: kt-26	быстрый просмотр	2 недели, 227 шт.	243 ֏ 192 ֏ ×	от 100 шт. — 164 ֏
КП103К1, Транзистор, Р-канал, малой мощности [TO-92 / КТ-26] 2 недели, 354 шт. Бренд: Russia Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 10 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.038 Крутизна характеристики, S: 1…3 Корпус: kt-26	быстрый просмотр	2 недели, 354 шт.	219 ֏ 171 ֏ ×	от 100 шт. — 143 ֏
КП103Л, Транзистор, Р-канал, малой мощности [КТ-17] 2 недели, 131 шт. Бренд: Russia Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.066 Крутизна характеристики, S: 1.8…3.8 Корпус: kt-17	быстрый просмотр	2 недели, 131 шт.	1 640 ֏ 840 ֏ ×	от 30 шт. — 750 ֏
AUIRF9Z34N, Транзистор, Auto Q101 Pкан -55В -19А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 68 Крутизна характеристики, S: 4.2 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		850 ֏ 530 ֏ ×	от 15 шт. — 510 ֏
BSS84LT1G, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10 Ом/0.1А, 5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 270 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		28 ֏ ×	от 100 шт. — 22 ֏
FDD6637, Транзистор, Р-канал 35В 55А [D-PAK / TO-252] Бренд: Fairchild Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 55 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0116 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 57 Крутизна характеристики, S: 35 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		750 ֏ ×	от 15 шт. — 710 ֏
FDN306P, Транзистор, Р-канал 12В 2.6А [SSOT-3] Бренд: Fairchild Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/2.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр		415 ֏ ×	от 25 шт. — 400 ֏
FDN360P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 2А [SuperSOT-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.08 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр		291 ֏ 176 ֏ ×	от 100 шт. — 166 ֏
FDS6679AZ, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 13А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0093 Ом/13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 55 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		730 ֏ 429 ֏ ×	от 25 шт. — 411 ֏
IRF7404PBF, Транзистор, P-канал 20В 6.7А [SO-8] Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/3.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 6.8 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		161 ֏ ×	от 25 шт. — 152 ֏
IRF7406TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 5.8A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 3.1 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		580 ֏ 312 ֏ ×	от 15 шт. — 295 ֏
IRF7416PBF, Транзистор, P-канал 30В 10А [SO-8] Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/5.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		161 ֏ ×	от 10 шт. — 152 ֏
IRF7424PBF, Транзистор, P-канал 30В 11А [SO-8] Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		278 ֏ ×	от 10 шт. — 259 ֏
IRF7424TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 11А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		1 280 ֏ 730 ֏ ×	от 25 шт. — 710 ֏

Транзисторы полевые P-канальные, стр.11

ООО «ЧИП и ДИП»