Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) IR

75 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRF5810TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канал 20В 2.9А [TSOP-6]
Бренд: IR
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6
быстрый просмотр
158 ֏
99 ֏
×
от 100 шт. — 84 ֏
IRL3103PBF, Транзистор, N-канал 30В 56А [TO-220AB]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 64
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/34А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 94
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
1 170 ֏ ×
от 15 шт. — 1 130 ֏
IRF7210TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 16А [SO-8] (=IRF7210PBF)
Бренд: IR
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.007 Ом/16А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 16
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 160 ֏
660 ֏
×
от 10 шт. — 640 ֏
IRF7821PBF, Транзистор, N-канал 30В 13.6А [SO-8]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0091 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
850 ֏
620 ֏
×
от 25 шт. — 570 ֏
IRFB31N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 31А [TO-220AB]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.082 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 1.7
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
2 210 ֏ ×
от 15 шт. — 2 120 ֏
IRLR7821TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 65А [D-PAK]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 65
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75
Крутизна характеристики, S: 46
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
850 ֏
530 ֏
×
от 15 шт. — 510 ֏
AUIRF1010Z, Транзистор, Auto Q101 Nкан 55В 94А [TO-220AB]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 94
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
890 ֏ ×
AUIRF1324, Транзистор, Auto Q101 Nкан 24В 353А [TO-220AB]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 24
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 353
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0015 Ом/195А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
2 130 ֏
1 400 ֏
×
от 15 шт. — 1 390 ֏
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]
Бренд: IR
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6
быстрый просмотр
364 ֏
215 ֏
×
от 50 шт. — 193 ֏
IRF630NSPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.5А [D2-PAK]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 82
Крутизна характеристики, S: 4.9
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
224 ֏ ×
от 15 шт. — 215 ֏
IRF7204PBF, Транзистор, P-канал 20В 5.3А [SO-8]
Бренд: IR
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/5.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
136 ֏ ×
от 25 шт. — 127 ֏
быстрый просмотр
169 ֏ ×
от 50 шт. — 149 ֏
IRF7309PBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8]
Бренд: IR
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9/3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.4А, 10В/0.1 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 5.2/2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
118 ֏ ×
от 10 шт. — 108 ֏
IRF7329PBF, 2Pкан -12В -9.2А SO8
Бренд: IR
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.017 Ом/9.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
99 ֏ ×
от 35 шт. — 93 ֏
IRF7404PBF, Транзистор, P-канал 20В 6.7А [SO-8]
Бренд: IR
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/3.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
161 ֏ ×
от 25 шт. — 152 ֏
IRF7416PBF, Транзистор, P-канал 30В 10А [SO-8]
Бренд: IR
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/5.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 5.6
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
161 ֏ ×
от 10 шт. — 152 ֏
IRF7424PBF, Транзистор, P-канал 30В 11А [SO-8]
Бренд: IR
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
278 ֏ ×
от 10 шт. — 259 ֏
IRF7452PBF, Транзистор, N-канал 100В 4.5А [SO-8]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/2.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 3.4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
257 ֏ ×
от 25 шт. — 246 ֏
IRF7468PBF, Транзистор, N-канал 40В 18А, [SO-8]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
234 ֏ ×
от 25 шт. — 221 ֏
IRF7811WPBF, Nкан 30В 14А SO8
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
76 ֏ ×
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60