Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Infineon, стр.11

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRF7493TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 9.2А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/5.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 460 ֏
×
от 50 шт. — 1 390 ֏
IRF7509TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 2.7А/-2А [Micro-8] (IRF7509PBF)
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7/2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 Ом/1.7А, 10В/0.2 Ом/1.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.25
Крутизна характеристики, S: 1.9/0.92
Корпус: Micro-8/MSOP-8
быстрый просмотр
455 ֏
269 ֏
×
от 25 шт. — 251 ֏
IRF7606TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 3.6А [Micro-8] (IRF7606PBF)
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.8
Крутизна характеристики, S: 2.3
Корпус: Micro-8/MSOP-8
быстрый просмотр
479 ֏
287 ֏
×
от 25 шт. — 271 ֏
IRF7832TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 20А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 280 ֏
700 ֏
×
от 25 шт. — 660 ֏
IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.005 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 81
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 280 ֏
780 ֏
×
от 25 шт. — 770 ֏
IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 060 ֏
×
от 50 шт. — 990 ֏
IRF7854TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 10А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0134 ом при 10a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 460 ֏
920 ֏
×
от 25 шт. — 910 ֏
IRF7904TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.6А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0162 Ом/7.6А, 10В/0.0108 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 17/23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 160 ֏
720 ֏
×
от 25 шт. — 700 ֏
IRF7907TRPBF, Транзистор 2хN-канала 30В 11А, [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0164 Ом/9.1А, 10В/0.0118 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19/24
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2 610 ֏
1 760 ֏
×
от 25 шт. — 1 720 ֏
IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/45А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 260
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 320 ֏
×
от 15 шт. — 1 300 ֏
IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
850 ֏
570 ֏
×
от 25 шт. — 530 ֏
IRF8707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 11А [SO-8] (=IRF8707PBF)
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
407 ֏
237 ֏
×
от 25 шт. — 221 ֏
IRF8714TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 14А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0087 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 71
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
467 ֏
263 ֏
×
от 25 шт. — 211 ֏
IRF8721TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 14А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0085 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
540 ֏
317 ֏
×
от 25 шт. — 301 ֏
IRF8736TRPBF, Транзистор, N-канал, 30В, 18А, 2.5Вт,0.0048Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0048 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
540 ֏
317 ֏
×
от 25 шт. — 292 ֏
IRF8788TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 24А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0028 ом при 24a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 95
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
910 ֏
520 ֏
×
от 25 шт. — 510 ֏
IRF9328TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 340 ֏
900 ֏
×
от 15 шт. — 850 ֏
IRF9335TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 5.4А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.059 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
455 ֏
283 ֏
×
от 25 шт. — 263 ֏
IRF9358TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0163 Ом/9.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
520 ֏ ×
от 25 шт. — 494 ֏
IRF9362TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала, 30В, 8А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
429 ֏
×
от 25 шт. — 411 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60