Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics, стр.3

2185 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
STP13NK60Z, Транзистор MOSFET N-CH 600V 13A [TO-220]
12 дней, 179 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
179 шт.
1 400 ֏
990 ֏
×
от 15 шт. — 950 ֏
STP13NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.28 Ом, 11А [TO-220AB]
12 дней, 475 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
475 шт.
1 100 ֏
730 ֏
×
от 15 шт. — 720 ֏
STP140NF55, Транзистор MOSFET N-канал 55В 80А [TO-220]
12 дней, 109 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
109 шт.
1 400 ֏
850 ֏
×
от 15 шт. — 830 ֏
STP14NK50ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 500В, 14А [TO-220FP]
12 дней, 69 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
12 дней,
69 шт.
1 580 ֏
670 ֏
×
от 15 шт. — 640 ֏
STP14NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12 А, [TO-220]
12 дней, 177 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
177 шт.
1 280 ֏
760 ֏
×
от 15 шт. — 740 ֏
STP16N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 12А, 0.230 Ом [TO-220]
12 дней, 204 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
204 шт.
2 670 ֏
1 890 ֏
×
от 15 шт. — 1 860 ֏
STP16NF06, Транзистор, STripFETT II, N-канал, 60В, 16А, 0.08Ом, [TO-220]
12 дней, 832 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/8a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 6.5
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
832 шт.
590 ֏
442 ֏
×
от 15 шт. — 428 ֏
STP20NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 20А [TO-220AB]
12 дней, 142 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
142 шт.
3 820 ֏
2 580 ֏
×
от 5 шт. — 2 560 ֏
STP21N90K5, Транзистор, SuperMESH 5, N-канал, 900 В, 0.25 Ом, 18.5А [TO-220AB]
12 дней, 133 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
133 шт.
6 000 ֏
4 310 ֏
×
от 15 шт. — 4 250 ֏
STP24NF10, Транзистор N-MOSFET 100В 26А [TO-220AB]
12 дней, 169 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 26
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 85
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
169 шт.
880 ֏ ×
от 30 шт. — 830 ֏
STP26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.135 Ом, 20А [TO-220AB]
12 дней, 71 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
71 шт.
2 850 ֏
1 900 ֏
×
от 15 шт. — 1 880 ֏
STP30NF10, Транзистор MOSFET N-канал 100В 35А [TO-220]
12 дней, 501 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 115
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
501 шт.
730 ֏
344 ֏
×
от 15 шт. — 323 ֏
STP3NK80Z, Транзистор MOSFET N-канал 800В 2.5А [TO-220]
12 дней, 308 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 2.1
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
308 шт.
770 ֏ ×
от 15 шт. — 700 ֏
STP4N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А [TO-220AB]
12 дней, 121 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
121 шт.
4 250 ֏
2 870 ֏
×
от 15 шт. — 2 850 ֏
STP4NK80Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 800В, 3А 3 Ом [TO-220AB]
12 дней, 376 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Крутизна характеристики, S: 2.9
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
376 шт.
1 040 ֏
880 ֏
×
от 15 шт. — 840 ֏
STP4NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 3A [TO-220FP]
12 дней, 134 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Крутизна характеристики, S: 2.9
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
12 дней,
134 шт.
1 280 ֏
499 ֏
×
от 15 шт. — 455 ֏
STP5NK50ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500В, 4.4А, 1.5Ом [TO-220FP]
12 дней, 51 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 3.1
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
12 дней,
51 шт.
730 ֏
302 ֏
×
STP5NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 650В, 5А, 1.2Ом [TO-220FP]
12 дней, 80 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.6 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
12 дней,
80 шт.
910 ֏
311 ֏
×
от 15 шт. — 307 ֏
STP5NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220]
12 дней, 1 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.4 Ом/2.15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
1 шт.
1 100 ֏ ×
от 15 шт. — 1 050 ֏
STP62NS04Z, Транзистор MOSFET N-канал 33В 62А [TO-220]
12 дней, 97 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/30a, 10В
Корпус: to-220
быстрый просмотр
12 дней,
97 шт.
730 ֏
362 ֏
×
от 15 шт. — 334 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60