Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
12 дней, 179 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 179 шт. |
1 400 ֏
×
990 ֏ |
от 15 шт. — 950 ֏
|
12 дней, 475 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 475 шт. |
1 100 ֏
×
730 ֏ |
от 15 шт. — 720 ֏
|
12 дней, 109 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/40А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 109 шт. |
1 400 ֏
×
850 ֏ |
от 15 шт. — 830 ֏
|
12 дней, 69 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 12 дней, 69 шт. |
1 580 ֏
×
670 ֏ |
от 15 шт. — 640 ֏
|
12 дней, 177 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 177 шт. |
1 280 ֏
×
760 ֏ |
от 15 шт. — 740 ֏
|
12 дней, 204 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 204 шт. |
2 670 ֏
×
1 890 ֏ |
от 15 шт. — 1 860 ֏
|
12 дней, 832 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/8a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 6.5
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 832 шт. |
590 ֏
×
442 ֏ |
от 15 шт. — 428 ֏
|
12 дней, 142 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 142 шт. |
3 820 ֏
×
2 580 ֏ |
от 5 шт. — 2 560 ֏
|
12 дней, 133 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 133 шт. |
6 000 ֏
×
4 310 ֏ |
от 15 шт. — 4 250 ֏
|
12 дней, 169 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 26
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 85
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 169 шт. |
880 ֏ × |
от 30 шт. — 830 ֏
|
12 дней, 71 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 71 шт. |
2 850 ֏
×
1 900 ֏ |
от 15 шт. — 1 880 ֏
|
12 дней, 501 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 115
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 501 шт. |
730 ֏
×
344 ֏ |
от 15 шт. — 323 ֏
|
12 дней, 308 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 2.1
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 308 шт. |
770 ֏ × |
от 15 шт. — 700 ֏
|
12 дней, 121 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 121 шт. |
4 250 ֏
×
2 870 ֏ |
от 15 шт. — 2 850 ֏
|
12 дней, 376 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Крутизна характеристики, S: 2.9
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 376 шт. |
1 040 ֏
×
880 ֏ |
от 15 шт. — 840 ֏
|
12 дней, 134 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80
Крутизна характеристики, S: 2.9
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 12 дней, 134 шт. |
1 280 ֏
×
499 ֏ |
от 15 шт. — 455 ֏
|
12 дней, 51 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 3.1
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 12 дней, 51 шт. |
730 ֏
×
302 ֏ |
|
12 дней, 80 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.6 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: TO-220FP
|
быстрый просмотр | 12 дней, 80 шт. |
910 ֏
×
311 ֏ |
от 15 шт. — 307 ֏
|
12 дней, 1 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.4 Ом/2.15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 1 шт. |
1 100 ֏ × |
от 15 шт. — 1 050 ֏
|
12 дней, 97 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/30a, 10В
Корпус: to-220
|
быстрый просмотр | 12 дней, 97 шт. |
730 ֏
×
362 ֏ |
от 15 шт. — 334 ֏
|