Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics, стр.2

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10 А [D-PAK] 13 дней, 1374 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	13 дней, 1374 шт.	890 ֏ ×	от 50 шт. — 760 ֏
STD17NF25, Транзистор MOSFET N-CH 250V 17A, [D-PAK] 13 дней, 503 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	13 дней, 503 шт.	1 160 ֏ ×	от 15 шт. — 1 080 ֏
STD2NK90ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 900В 2.1А [D-PAK] 13 дней, 861 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.5 Ом/1.05А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Крутизна характеристики, S: 2.3 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	13 дней, 861 шт.	850 ֏ 630 ֏ ×	от 15 шт. — 580 ֏
STD3NK60ZT4, Транзистор N-MOSFET 600В 2.4А 45Вт [D-PAK] 13 дней, 100 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	13 дней, 100 шт.	442 ֏ ×	от 15 шт. — 404 ֏
STD5N52K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 525 В, 1.2 Ом, 4.4 А [D-PAK] 13 дней, 116 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 525 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	13 дней, 116 шт.	540 ֏ 308 ֏ ×	от 15 шт. — 291 ֏
STD5NK50ZT4, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 4.4А [D-PAK] 13 дней, 192 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	13 дней, 192 шт.	850 ֏ 311 ֏ ×	от 15 шт. — 283 ֏
STF10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом, 10А [TO-220FP] 13 дней, 429 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 429 шт.	1 160 ֏ 680 ֏ ×	от 15 шт. — 660 ֏
STF13NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600V 11A [TO-220FP] 13 дней, 373 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 373 шт.	1 460 ֏ 860 ֏ ×	от 15 шт. — 840 ֏
STF6N65K3, Транзистор MOSFET N-канал 650В 5.4А [TO-220FP] 13 дней, 52 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 52 шт.	1 040 ֏ 550 ֏ ×	от 15 шт. — 530 ֏
STF6N95K5, Транзистор MOSFET N-канал 950В 9А [TO-220FP] 13 дней, 78 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 950 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 78 шт.	2 130 ֏ 1 270 ֏ ×	от 15 шт. — 1 260 ֏
STF9NK90Z, Транзистор MOSFET N-канал 900В 8А [TO-220FP] 13 дней, 572 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.3 Ом/3.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 572 шт.	1 400 ֏ 840 ֏ ×	от 15 шт. — 800 ֏
STFW4N150, Транзистор Mosfet PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А, [TO-3PF] 13 дней, 51 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 63 Крутизна характеристики, S: 3.5 Корпус: to-3pf	быстрый просмотр	13 дней, 51 шт.	5 500 ֏ ×	от 3 шт. — 4 930 ֏
STN1NK60Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 0.3А [SOT-223] 13 дней, 1029 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 15 Ом/0.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.3 Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	13 дней, 1029 шт.	352 ֏ 177 ֏ ×	от 15 шт. — 169 ֏
STN3NF06L, Транзистор, N-канал, 60В, 4A [SOT-223] 13 дней, 720 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.3 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	13 дней, 720 шт.	364 ֏ 191 ֏ ×	от 50 шт. — 176 ֏
STP10NK70ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 700V 8.6A [TO-220FP] 13 дней, 139 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 700 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35 Крутизна характеристики, S: 7.7 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 139 шт.	1 280 ֏ 740 ֏ ×	от 15 шт. — 730 ֏
STP10NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 9A [TO-220FP] 13 дней, 199 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Крутизна характеристики, S: 9.6 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 199 шт.	3 520 ֏ 2 250 ֏ ×	от 15 шт. — 2 130 ֏
STP11NK40ZFP, Транзистор N-MOSFET 400В 9А [TO-220FP] 13 дней, 93 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 93 шт.	1 040 ֏ 560 ֏ ×	от 15 шт. — 550 ֏
STP11NK50Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220AB] 13 дней, 111 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 7.7 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 111 шт.	1 100 ֏ 610 ֏ ×	от 15 шт. — 590 ֏
STP11NK50ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 10А, 500В, 0.48Ом [TO-220FP] 13 дней, 185 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Крутизна характеристики, S: 7.7 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 185 шт.	1 280 ֏ 392 ֏ ×	от 15 шт. — 357 ֏
STP120NF10, Транзистор MOSFET N-канал 100В 110А [TO-220] 13 дней, 340 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0105 Ом/60А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 340 шт.	1 940 ֏ 1 620 ֏ ×	от 15 шт. — 1 570 ֏

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics, стр.2

ООО «ЧИП и ДИП»