Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics, стр.3

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STP12NM50FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 0.30 Ом, 12А [TO-220FP] 13 дней, 779 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.35 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 779 шт.	2 610 ֏ 1 660 ֏ ×	от 15 шт. — 1 590 ֏
STP13NK60Z, Транзистор MOSFET N-CH 600V 13A [TO-220] 13 дней, 182 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 182 шт.	1 400 ֏ 950 ֏ ×	от 15 шт. — 910 ֏
STP13NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.28 Ом, 11А [TO-220AB] 13 дней, 507 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 507 шт.	1 100 ֏ 700 ֏ ×	от 15 шт. — 690 ֏
STP140NF55, Транзистор MOSFET N-канал 55В 80А [TO-220] 13 дней, 111 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 111 шт.	1 400 ֏ 810 ֏ ×	от 15 шт. — 800 ֏
STP14NK50ZFP, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 500В, 14А [TO-220FP] 13 дней, 73 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35 Крутизна характеристики, S: 12 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 73 шт.	1 580 ֏ 650 ֏ ×	от 15 шт. — 610 ֏
STP14NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12 А, [TO-220] 13 дней, 239 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 239 шт.	1 280 ֏ 730 ֏ ×	от 15 шт. — 720 ֏
STP16N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 12А, 0.230 Ом [TO-220] 13 дней, 205 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 205 шт.	2 670 ֏ 1 810 ֏ ×	от 15 шт. — 1 790 ֏
STP16NF06, Транзистор, STripFETT II, N-канал, 60В, 16А, 0.08Ом, [TO-220] 13 дней, 838 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/8a, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 6.5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 838 шт.	590 ֏ 425 ֏ ×	от 15 шт. — 411 ֏
STP20NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 20А [TO-220AB] 13 дней, 142 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 142 шт.	3 820 ֏ 2 480 ֏ ×	от 5 шт. — 2 460 ֏
STP21N90K5, Транзистор, SuperMESH 5, N-канал, 900 В, 0.25 Ом, 18.5А [TO-220AB] 13 дней, 148 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 250 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 148 шт.	6 000 ֏ 4 150 ֏ ×	от 15 шт. — 4 080 ֏
STP24NF10, Транзистор N-MOSFET 100В 26А [TO-220AB] 13 дней, 174 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 26 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 85 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 174 шт.	850 ֏ ×	от 30 шт. — 800 ֏
STP26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.135 Ом, 20А [TO-220AB] 13 дней, 117 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 117 шт.	2 850 ֏ 1 830 ֏ ×	от 15 шт. — 1 810 ֏
STP30NF10, Транзистор MOSFET N-канал 100В 35А [TO-220] 13 дней, 520 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 115 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 520 шт.	730 ֏ 330 ֏ ×	от 15 шт. — 311 ֏
STP3NK80Z, Транзистор MOSFET N-канал 800В 2.5А [TO-220] 13 дней, 309 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Крутизна характеристики, S: 2.1 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 309 шт.	740 ֏ ×	от 15 шт. — 680 ֏
STP4N150, Транзистор, PowerMESH, N-канал, 1500 В, 5 Ом, 4А [TO-220AB] 13 дней, 121 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 121 шт.	4 250 ֏ 2 760 ֏ ×	от 15 шт. — 2 740 ֏
STP4NK80Z, Транзистор, Zener-protected SuperMESH, N-канал, 800В, 3А 3 Ом [TO-220AB] 13 дней, 380 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80 Крутизна характеристики, S: 2.9 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 380 шт.	1 040 ֏ 850 ֏ ×	от 15 шт. — 800 ֏
STP4NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 800V 3A [TO-220FP] 13 дней, 151 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.5 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 80 Крутизна характеристики, S: 2.9 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 151 шт.	1 280 ֏ 480 ֏ ×	от 15 шт. — 438 ֏
STP5NK50ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500В, 4.4А, 1.5Ом [TO-220FP] 13 дней, 59 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Крутизна характеристики, S: 3.1 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 59 шт.	730 ֏ 258 ֏ ×	от 15 шт. — 234 ֏
STP5NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 650В, 5А, 1.2Ом [TO-220FP] 13 дней, 101 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.6 Ом/2.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 101 шт.	910 ֏ 299 ֏ ×	от 15 шт. — 295 ֏
STP5NK80Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.9 Ом, 4.3А [TO-220] 13 дней, 157 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.4 Ом/2.15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 157 шт.	1 060 ֏ ×	от 15 шт. — 1 010 ֏

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics, стр.3

ООО «ЧИП и ДИП»