Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics, стр.4

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STP62NS04Z, Транзистор MOSFET N-канал 33В 62А [TO-220] 13 дней, 108 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/30a, 10В Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 108 шт.	730 ֏ 348 ֏ ×	от 15 шт. — 321 ֏
STP65NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.0015Ом, 60А [TO-220AB] 13 дней, 611 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 50 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 611 шт.	1 700 ֏ 970 ֏ ×	от 15 шт. — 950 ֏
STP6N62K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 620 В, 0.95 Ом, 5.5А [TO-220AB] 13 дней, 38 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 620 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 38 шт.	790 ֏ 471 ֏ ×	от 15 шт. — 458 ֏
STP7NK80ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 800В, 1.5Ом, 5.2А [TO-220FP] 13 дней, 390 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.8 Ом/2.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 390 шт.	1 940 ֏ 960 ֏ ×	от 15 шт. — 880 ֏
STP80NF03L-04, Транзистор MOSFET N-канал 30В 80А [TO-220] 13 дней, 77 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 77 шт.	1 280 ֏ 900 ֏ ×	от 15 шт. — 870 ֏
STP80NF12, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 120В, 0.013Ом, 80A [TO-220AB] 13 дней, 294 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 120 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 294 шт.	2 910 ֏ 1 790 ֏ ×	от 15 шт. — 1 720 ֏
STP80NF55-08, МОП-транзистор, N-канальный, 80 А, 55 В, 8 мОм, 10 В, 3 В, [TO-220] 13 дней, 96 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 96 шт.	2 670 ֏ 1 570 ֏ ×	от 15 шт. — 1 540 ֏
STP8NK80ZFP, Транзистор MOSFET N-канал 800В 6.2А [TO-220FP] 13 дней, 148 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/3.1a, 10В Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 148 шт.	740 ֏ ×	от 15 шт. — 680 ֏
STP9NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500 В, 0.72 Ом, 7.2А [TO-220AB] 13 дней, 110 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/3.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 5.3 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 110 шт.	790 ֏ 590 ֏ ×
STP9NK60Z, Транзистор MOSFET N-канал 600В 7А [TO-220] 13 дней, 289 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Корпус: to-220	быстрый просмотр	13 дней, 289 шт.	1 400 ֏ 570 ֏ ×	от 15 шт. — 530 ֏
STP9NK60ZFP, Транзистор MOSFET N-CH 600V 7A [TO-220FP] 13 дней, 59 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30 Крутизна характеристики, S: 5.3 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	13 дней, 59 шт.	1 040 ֏ 620 ֏ ×	от 15 шт. — 600 ֏
STQ1NK60ZR-AP, Транзистор MOSFET N-канал 600В 0.3А [TO-92 Ammo] 13 дней, 187 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 15 Ом/0.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3 Корпус: TO-92 Formed Leads	быстрый просмотр	13 дней, 187 шт.	316 ֏ 284 ֏ ×	от 100 шт. — 253 ֏
STS4DNF60L, Транзистор, STripFET, N-канал, 60В, 0.045Ом, 4A [SO-8] 13 дней, 987 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	13 дней, 987 шт.	710 ֏ ×	от 25 шт. — 680 ֏
STU6N62K3, Транзистор, SuperMESH3, N-канал, 620 В, 0.95 Ом, 5.5 А, [I-PAK] 13 дней, 443 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 620 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: IPAK	быстрый просмотр	13 дней, 443 шт.	730 ֏ 499 ֏ ×	от 15 шт. — 484 ֏
STW12NK90Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 900В, 0.72Ом, 11А [TO-247] 13 дней, 78 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.88 Ом/5.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 230 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 78 шт.	3 280 ֏ 2 460 ֏ ×	от 15 шт. — 2 450 ֏
STW14NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 14А [TO-247] 13 дней, 242 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 242 шт.	1 940 ֏ 1 310 ֏ ×	от 15 шт. — 1 300 ֏
STW15NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал 500В 14А [TO-247] 13 дней, 111 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.34 Ом/7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 111 шт.	1 940 ֏ 1 180 ֏ ×	от 15 шт. — 1 150 ֏
STW20NK50Z, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 500В, 0.23Ом, 20А [TO-247] 13 дней, 221 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 221 шт.	2 190 ֏ 1 370 ֏ ×	от 15 шт. — 1 330 ֏
STW20NM60, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В, 0.25Ом, 20А [TO-247] 13 дней, 172 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 172 шт.	3 400 ֏ 2 190 ֏ ×	от 15 шт. — 2 180 ֏
STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247] 13 дней, 278 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	13 дней, 278 шт.	2 850 ֏ 1 770 ֏ ×	от 15 шт. — 1 740 ֏

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ST Microelectronics, стр.4

ООО «ЧИП и ДИП»