Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.22

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
2SK2842, Транзистор, N-канал [TO-220F]
9 дней, 296 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Корпус: SC-67/2-10R1B
быстрый просмотр
9 дней,
296 шт.
1 160 ֏
670 ֏
×
2SK2843(Q), Транзистор, N-канал [TO-220F]
9 дней, 51 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Корпус: SC-67/2-10R1B
быстрый просмотр
9 дней,
51 шт.
1 700 ֏
950 ֏
×
2SK2847, Транзистор, N-канал, DC/DC конверторы, драйверы электродвигателей [TO-3P]
9 дней, 25 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 85
Крутизна характеристики, S: 7
Корпус: 2-16F1B
быстрый просмотр
9 дней,
25 шт.
2 670 ֏
1 590 ֏
×
2SK2850, Транзистор, N-канал [TO-3P]
9 дней, 57 шт.
Бренд: Fuji Electric
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Корпус: TO-3P
быстрый просмотр
9 дней,
57 шт.
2 430 ֏
1 500 ֏
×
от 15 шт. — 1 470 ֏
2SK3019TL, Транзистор, N-канал, 30В, 0.1А [SOT-416]
9 дней, 371 шт.
Бренд: Rohm
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8 Ом/0.01А, 4В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.15
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: SOT-416
быстрый просмотр
9 дней,
371 шт.
291 ֏
180 ֏
×
от 50 шт. — 159 ֏
2SK3075(TE12L,Q), ВЧ транзистор, MOSFET, N-канал, 520МГц, 11.7дБ, 7.5Вт [2-5N1A]
9 дней, 75 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 20
Корпус: 2-5N1A
быстрый просмотр
9 дней,
75 шт.
6 000 ֏ ×
2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B]
9 дней, 31 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Корпус: SC-67/2-10R1B
быстрый просмотр
9 дней,
31 шт.
790 ֏
510 ֏
×
2SK3530, Транзистор, SuperFAP-G, N-канал, 800В, 7А, 1.9Ом [2-10R1B / TO-220F]
9 дней, 142 шт.
Бренд: Fuji Electric
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.9 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
9 дней,
142 шт.
950 ֏ ×
от 15 шт. — 920 ֏
2SK3562, Транзистор, N-канал [TO-220F]
9 дней, 169 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: SC-67/2-10U1B
быстрый просмотр
9 дней,
169 шт.
910 ֏
487 ֏
×
2SK3564(STA4,Q,M), Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 3А [SC-67 / 2-10U1B]
9 дней, 108 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.3 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Крутизна характеристики, S: 2.6
Корпус: SC-67/2-10U1B
быстрый просмотр
9 дней,
108 шт.
1 400 ֏
820 ֏
×
2SK3565(STA4,Q,M), Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 5А [SC-67 / 2-10U1B]
9 дней, 128 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 4.2
Корпус: SC-67/2-10U1B
быстрый просмотр
9 дней,
128 шт.
1 400 ֏
760 ֏
×
2SK3567, Транзистор, N-канал [TO-220F]
9 дней, 314 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Крутизна характеристики, S: 2.6
Корпус: SC-67/2-10U1B
быстрый просмотр
9 дней,
314 шт.
790 ֏
453 ֏
×
2SK3569, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 10А [SC-67 / 2-10U1B]
9 дней, 99 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45
Крутизна характеристики, S: 8.5
Корпус: SC-67/2-10U1B
быстрый просмотр
9 дней,
99 шт.
2 610 ֏
1 700 ֏
×
2SK3797, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 13А [SC-67 / 2-10U1B]
9 дней, 178 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/6.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50
Крутизна характеристики, S: 7.5
Корпус: SC-67/2-10U1B
быстрый просмотр
9 дней,
178 шт.
1 400 ֏
800 ֏
×
AF4502CSLA, Транзистор MOSFET P/N-каналы 30В (D-S) [SOP-8]
9 дней, 229 шт.
Бренд: Anachip
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10/8.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/10А, 10В/0.019 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Крутизна характеристики, S: 40/31
Корпус: SOP-8
быстрый просмотр
9 дней,
229 шт.
910 ֏
530 ֏
×
от 25 шт. — 434 ֏
AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]
Бренд: NXP
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 4.4
Корпус: PLD-1.5W
быстрый просмотр
5 900 ֏
3 790 ֏
×
от 15 шт. — 3 750 ֏
AFT09MS015NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 16 Вт, 12.5 В [PLD-1.5W]
Бренд: NXP
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 4.4
Корпус: PLD-1.5W
быстрый просмотр
12 400 ֏
8 600 ֏
×
от 15 шт. — 8 500 ֏
AO4402G, Транзистор Trench Power MOSFET N-канал 20В 20А 5.9мОм [SOIC-8]
Бренд: Alpha & Omega
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0049 Ом/4.5А, 20В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
310 ֏
174 ֏
×
от 25 шт. — 161 ֏
AO4468, Транзистор, N-канал, 30В, 10.5А, 2Вт [SO-8]
Бренд: Alpha & Omega
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/11.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 36
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
455 ֏
272 ֏
×
от 25 шт. — 253 ֏
AO4600, Транзистор N-канал/P-канал, 30В, 6.9/5А, 2Вт, 0.027/0.049Ом [SO-8]
Бренд: Alpha & Omega
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9/5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 ом при6.9А, 10В/0.049 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 16/11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
453 ֏
×
от 25 шт. — 430 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60