Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.27

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
FDP22N50N, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 22А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312.5
Корпус: to-220
быстрый просмотр
3 340 ֏
2 110 ֏
×
от 15 шт. — 2 090 ֏
FDP24N40, Транзистор N-MOSFET 400В 24А [TO-220-3]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 227
Корпус: to-220
быстрый просмотр
5 400 ֏
3 680 ֏
×
от 15 шт. — 3 660 ֏
FDP2532, Транзистор PowerTrench N-канал 150В 79А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 79
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/33А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Корпус: to-220
быстрый просмотр
2 670 ֏
1 720 ֏
×
от 15 шт. — 1 700 ֏
FDP3651U, Транзистор N-канал 100В 80А [TO-220AB]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/80А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 255
Корпус: to-220
быстрый просмотр
3 400 ֏
2 150 ֏
×
от 15 шт. — 2 140 ֏
FDP51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 320
Корпус: to-220
быстрый просмотр
2 670 ֏
2 120 ֏
×
от 15 шт. — 2 040 ֏
FDP52N20, Транзистор, UniFET, N-канал, 200В, 52А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 52
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 357
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 940 ֏
1 090 ֏
×
от 15 шт. — 1 080 ֏
FDP7030BL, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 60А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60
Корпус: to-220
быстрый просмотр
850 ֏
510 ֏
×
от 15 шт. — 489 ֏
FDPF12N50NZ, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 11.5А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/5.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 42
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
1 910 ֏ ×
от 15 шт. — 1 890 ֏
FDPF18N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 18А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38.5
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 480 ֏
×
от 15 шт. — 1 460 ֏
FDPF33N25T, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 33А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.094 Ом/16.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 370 ֏
×
от 15 шт. — 1 350 ֏
FDPF51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 480 ֏
×
от 15 шт. — 1 460 ֏
FDPF5N50UT, Транзистор N-MOSFET 500В 4А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
1 040 ֏
590 ֏
×
от 15 шт. — 570 ֏
FDS4559, Транзистор N/P-MOSFET 60В 6А/5А [SOP-8]
9 дней, 1396 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
1396 шт.
149 ֏ ×
от 100 шт. — 136 ֏
FDS4897C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 40В 6.2А/-4.4А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.2/4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6.2А, 10В/0.046 при 4.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 21/12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2 070 ֏
830 ֏
×
от 25 шт. — 680 ֏
FDS4935A, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А [SOP-8]
9 дней, 6349 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3
Корпус: SOP-8
быстрый просмотр
9 дней,
6349 шт.
192 ֏ ×
от 100 шт. — 178 ֏
FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А [SOIC-8-0.154]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9.5 Ом/12.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
427 ֏
×
от 5 шт. — 400 ֏
FDS8880, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 11.6А [SOIC-8-0.154"]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/11.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
407 ֏
239 ֏
×
от 25 шт. — 223 ֏
FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/7А, 10В/0.052 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11/19
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 280 ֏
780 ֏
×
от 25 шт. — 760 ֏
FDS8958B, Транзистор PowerTrench N/P-каналs 30В 6.4/-4.5А [SOIC-8-0.154"]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.4/4.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
372 ֏
×
от 25 шт. — 357 ֏
FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]
9 дней, 866 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/7.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
866 шт.
186 ֏ ×
от 15 шт. — 170 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60