Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{52 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

AO4606, Транзистор, N-канал/P-канал, 30В, 6.9/6А, 2Вт, 0.028Ом/0.035Ом [SO-8] Бренд: Alpha & Omega Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9/6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В/0.028 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15/18 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		540 ֏ 320 ֏ ×	от 25 шт. — 304 ֏
AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8] 216 шт. Бренд: Advanced Power Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/6.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Ом/7А, 10В/0.04 Ом/6.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 9/9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	216 шт.	590 ֏ 319 ֏ ×	от 10 шт. — 294 ֏
AP4525GEH, Транзистор, N+ P-канал, 40В, 15/-12А, 28/42мОм [TO-252-4L] 14 шт. Бренд: Advanced Power Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15/12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/15А, 10В/0.042 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 10.4 Крутизна характеристики, S: 6/5 Корпус: DPAK-5(4 Leads+Tab)	быстрый просмотр	14 шт.	730 ֏ 352 ֏ ×	от 15 шт. — 324 ֏
IRF7343TRPBF, Транзистор N+P 55V 3.4A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/4.7А, 10В/0.105 Ом/3.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		730 ֏ 483 ֏ ×	от 25 шт. — 464 ֏
AO4606, Транзистор N+P-MOSFET 30В 6/7.6А [SOP-8] 10 дней, 2615 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/7.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 19 мОм/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	10 дней, 2615 шт.	52 ֏ ×	от 100 шт. — 46 ֏
AO4614, Транзистор N/P-MOSFET 40В 6/5А 2Вт [SOP-8] 10 дней, 1789 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 24 мОм/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	10 дней, 1789 шт.	88 ֏ ×	от 100 шт. — 80 ֏
AO4616, Транзистор N/P-MOSFET 30В 8А/7А 2Вт [SOP-8] 10 дней, 2036 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8/7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 14.5 Ом/8A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 30 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	10 дней, 2036 шт.	70 ֏ ×	от 50 шт. — 62 ֏
AO6601, Транзистор N/P-MOSFET 30В 3.4А/2.3А 1.15Вт [SOT-23-6] 10 дней, 3594 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4/2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 46 мОм/3.4A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	10 дней, 3594 шт.	62 ֏ ×	от 100 шт. — 57 ֏
AO6604, Транзистор N/P-MOSFET 20В 3.4А/2.5А 1.1Вт [SOT-23-6] 10 дней, 1904 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4/2.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 51 мОм/3.4A, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.1 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOT-23-6	быстрый просмотр	10 дней, 1904 шт.	62 ֏ ×	от 100 шт. — 57 ֏
IRF7105TR, Транзистор N/P-MOSFET 25В 3.5А/2.3А 2Вт [SOP-8] 10 дней, 1920 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5/2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 83/160 мОм/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 4.3/3.1 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	10 дней, 1920 шт.	92 ֏ ×	от 50 шт. — 83 ֏
IRF7307TR, Транзистор N/P-MOSFET 20В 5.2А/4.3А 2Вт [SOP-8] 10 дней, 5853 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.7/4.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 53/100 мОм/2.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.3/4 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	10 дней, 5853 шт.	70 ֏ ×	от 50 шт. — 62 ֏
IRF7309TR, Транзистор N/P-MOSFET 30В 4А/3А 1.4Вт [SOP-8] 10 дней, 4268 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 50/100 мОм/2.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 5.2/2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	10 дней, 4268 шт.	124 ֏ ×	от 50 шт. — 112 ֏
IRF7319TR, Транзистор N/P-MOSFET 30В 6.5А/4.9А 2Вт [SOP-8] 10 дней, 4376 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5/4.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 31/60 мОм/5.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 14/7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	10 дней, 4376 шт.	124 ֏ ×	от 50 шт. — 112 ֏
IRF7343TR, Транзистор N/P-MOSFET 55В 3.7А/4.3А 2Вт [SOP-8] 10 дней, 4072 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 65/90 мОм/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 7.9/3.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	10 дней, 4072 шт.	107 ֏ ×	от 50 шт. — 96 ֏
IRF7389TR, Транзистор N/P-MOSFET 30В 7.3А/5.3А 2.5Вт [SOP-8] 10 дней, 1335 шт. Бренд: UMW Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3/5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 29/58 мОм/5.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 14/7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	10 дней, 1335 шт.	115 ֏ ×	от 50 шт. — 103 ֏
AF4502CSLA, Транзистор MOSFET P/N-каналы 30В (D-S) [SOP-8] 10 дней, 227 шт. Бренд: Anachip Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10/8.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/10А, 10В/0.019 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1 Крутизна характеристики, S: 40/31 Корпус: SOP-8	быстрый просмотр	10 дней, 227 шт.	910 ֏ 530 ֏ ×	от 25 шт. — 434 ֏
AO4600, Транзистор N-канал/P-канал, 30В, 6.9/5А, 2Вт, 0.027/0.049Ом [SO-8] Бренд: Alpha & Omega Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.9/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 ом при6.9А, 10В/0.049 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 16/11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		730 ֏ 453 ֏ ×	от 25 шт. — 430 ֏
AOP605, Транзистор MOSFET N/P-CH 7.5A/6.6A 30V [DIP-8] Бренд: Alpha & Omega Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.5/6.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/7.5А, 10В/0.035 Ом/6.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: DIP-8	быстрый просмотр		1 040 ֏ 630 ֏ ×	от 25 шт. — 610 ֏
AP4511GH, Транзистор, N+P канал, 35В, +15/-12А, 30/48 мОм [TO-252-4L] 10 дней, 106 шт. Бренд: Advanced Power Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15/12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/15А, 10В/0.048 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 10.4 Крутизна характеристики, S: 13/10 Корпус: DPAK-5(4 Leads+Tab)	быстрый просмотр	10 дней, 106 шт.	1 100 ֏ 650 ֏ ×	от 15 шт. — 620 ֏
AP4525GEM, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -5 А/6 А, 2 Вт, [SOP-8] 10 дней, 318 шт. Бренд: Advanced Power Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/6А, 10В/0.042 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 6/5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	10 дней, 318 шт.	730 ֏ 437 ֏ ×	от 15 шт. — 424 ֏

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

ООО «ЧИП и ДИП»