Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › N+P MOSFET

Сборки из транзисторов полевых N-канал + P-канал, стр.2

_{54 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDC6420C-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 20В 5,5/-3.2А [TSOP-6] 11 дней, 10879 шт. Бренд: VBsemi Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5/3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/2.5А, 10В/0.055 Ом/1.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15 Крутизна характеристики, S: 4.3/2 Корпус: TSOP-6	быстрый просмотр	11 дней, 10879 шт.	146 ֏ 104 ֏ ×	от 50 шт. — 96 ֏
FDD8424H-VB, Транзистор N/P-MOSFET 40В 50А [TO-252-4L] 11 дней, 321 шт. Бренд: VBsemi Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 108 Крутизна характеристики, S: 40/18 Корпус: DPAK(4 Leads+Tab)	быстрый просмотр	11 дней, 321 шт.	261 ֏ ×	от 100 шт. — 238 ֏
FDS4559, Транзистор N/P-MOSFET 60В 6А/5А [SOP-8] 11 дней, 1396 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	11 дней, 1396 шт.	149 ֏ ×	от 100 шт. — 136 ֏
FDS4897C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 40В 6.2А/-4.4А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.2/4.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6.2А, 10В/0.046 при 4.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 21/12 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		2 070 ֏ 830 ֏ ×	от 25 шт. — 680 ֏
FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/7А, 10В/0.052 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11/19 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		1 280 ֏ 780 ֏ ×	от 25 шт. — 760 ֏
FDS8958B, Транзистор PowerTrench N/P-каналs 30В 6.4/-4.5А [SOIC-8-0.154"] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.4/4.5 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		730 ֏ 372 ֏ ×	от 25 шт. — 357 ֏
IRF7105TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5/2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 3.1/4.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		443 ֏ 292 ֏ ×	от 50 шт. — 269 ֏
IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8] 11 дней, 2661 шт. Бренд: VBsemi Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8/6.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/6.8А, 10В/0.044 Ом/6.5А, 8В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 27/25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	11 дней, 2661 шт.	346 ֏ 226 ֏ ×	от 50 шт. — 208 ֏
IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы, 20В, 5.2А/-4.3А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.7/4.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В/0.09 Ом/2.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.3/4 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		730 ֏ 390 ֏ ×	от 25 шт. — 374 ֏
IRF7309TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30B 4A/-3А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9/3.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.4А, 10В/0.1 Ом/1.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 5.2/2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		730 ֏ 417 ֏ ×	от 25 шт. — 382 ֏
IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 20B 6.6А/5.3A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6/5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6А, 4.5В/0.058 Ом/2.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 20/5.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		540 ֏ 301 ֏ ×	от 25 шт. — 279 ֏
IRF7319TRPBF, Транзистор N+P-канал 30В 4.9А, [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5/4.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 14/7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		1 100 ֏ 550 ֏ ×	от 25 шт. — 477 ֏
IRF7343TRPBF-VB, Транзистор N/P-каналы 60В 5.3/4.9А TrenchFET [SOIC-8] 11 дней, 7034 шт. Бренд: VBsemi Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/4.7А, 10В/0.105 Ом/3.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	11 дней, 7034 шт.	580 ֏ 374 ֏ ×	от 25 шт. — 347 ֏
IRF7389TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 30В 7.3А/5.3А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3/5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 14/7.7 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		1 460 ֏ 540 ֏ ×	от 25 шт. — 468 ֏
IRF7509TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 2.7А/-2А [Micro-8] (IRF7509PBF) Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7/2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 Ом/1.7А, 10В/0.2 Ом/1.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.25 Крутизна характеристики, S: 1.9/0.92 Корпус: Micro-8/MSOP-8	быстрый просмотр		455 ֏ 272 ֏ ×	от 25 шт. — 253 ֏
IRF9389TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В 6.8/-4.6А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.8/4.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/6.8А, 10В/0.064 Ом/4.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.2/4.1 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		1 340 ֏ 820 ֏ ×	от 25 шт. — 810 ֏
IRF9952TRPBF, Транзистор, N/P-каналы 30В, [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5/2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/2.2А, 10В/0.25 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 02.04.2012 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		467 ֏ 279 ֏ ×	от 25 шт. — 263 ֏
SIA519EDJ-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N/P-канал 20В 4.5А/3.7А [PowerPAK SC-70-6 Dual] Бренд: Vishay Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 7.8 Крутизна характеристики, S: 12/7 Корпус: PowerPAK SC-70-6 Dual	быстрый просмотр		382 ֏ 246 ֏ ×	от 50 шт. — 228 ֏
STU407DH, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 40 В, -12 А/16 А, 11 Вт, [TO-252] 11 дней, 220 шт. Бренд: SamHop Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16/12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/8А, 10В/0.047 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 11 Крутизна характеристики, S: 15/9 Корпус: DPAK-5(4 Leads+Tab)	быстрый просмотр	11 дней, 220 шт.	1 100 ֏ 630 ֏ ×	от 15 шт. — 600 ֏
FDC6420C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 20В, 3/-2.2А, 95/190мОм [SuperSOT-6] Бренд: ON Semiconductor Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3./2.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/3А, 4.5В/0.125 Ом/2.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96 Крутизна характеристики, S: 10/6 Корпус: SuperSOT-6/SOT-23-6	быстрый просмотр		293 ֏ ×	от 25 шт. — 279 ֏

Сборки из транзисторов полевых N-канал + P-канал, стр.2

ООО «ЧИП и ДИП»