Транзисторы полевые ST Microelectronics, стр.12

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
STP8NK100Z, Транзистор полевой N-канальный 1000В 6.5А 160Вт
3 недели, 165 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
3 недели,
165 шт.
3 110 ֏ ×
от 4 шт. — 2 680 ֏
от 8 шт. — 2 490 ֏
от 16 шт. — 2 400 ֏
STP9N60M2, Транзистор полевой N-канальный 600В 5.5А 60Вт
3 недели, 203 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Корпус: to-220
быстрый просмотр
3 недели,
203 шт.
1 580 ֏ ×
от 8 шт. — 1 360 ֏
от 15 шт. — 1 250 ֏
от 30 шт. — 1 190 ֏
STY60NK30Z, Транзистор полевой N-канальный 300В 60А 450Вт
3 недели, 5 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Корпус: MAX247
быстрый просмотр
3 недели,
5 шт.
6 800 ֏ ×
от 2 шт. — 6 500 ֏
от 4 шт. — 6 200 ֏
Транзистор STP9NK50ZFP
4 недели, 197 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
4 недели,
197 шт.
153 ֏ ×
BUX87, Транзистор NPN, биполярный, 1кВ, 500мА, 20Вт, TO126
8 недель, 63 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
8 недель,
63 шт.
1 150 ֏ ×
от 3 шт. — 810 ֏
от 10 шт. — 660 ֏
от 50 шт. — 510 ֏
LET20030C, Trans RF MOSFET N-CH 80V 9A 3-Pin Case M-243 Loose
7-9 недель, 42 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
7-9 недель,
42 шт.
64 600 ֏ ×
LET9045, Trans RF MOSFET N-CH 80V 9A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
7-9 недель, 22 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
7-9 недель,
22 шт.
37 900 ֏ ×
LET9045S, Trans RF MOSFET N-CH 80V 9A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) Tube
7-9 недель, 50 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
7-9 недель,
50 шт.
37 900 ֏ ×
N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STW10NK60Z
8 недель, 880 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
8 недель,
880 шт.
1 750 ֏ ×
PD57018S-E, MOSFET RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
8-10 недель, 564 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
8-10 недель,
564 шт.
36 000 ֏ ×
от 10 шт. — 29 000 ֏
от 25 шт. — 25 200 ֏
от 50 шт. — 24 400 ֏
SCT10N120, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 12 А, 1.2 кВ, 0.5 Ом, HiP247
9-11 недель, 405 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
9-11 недель,
405 шт.
12 700 ֏ ×
от 5 шт. — 11 600 ֏
от 10 шт. — 10 600 ֏
быстрый просмотр
8 недель,
5 шт.
24 900 ֏ ×
от 3 шт. — 20 400 ֏
SCT50N120, Silicon Carbide MOSFET, SiC, Single, N Channel, 65 А, 1.2 кВ, 0.052 Ом, HiP247
9-11 недель, 645 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
9-11 недель,
645 шт.
39 300 ֏ ×
от 5 шт. — 35 800 ֏
от 10 шт. — 31 900 ֏
быстрый просмотр
8 недель,
48 шт.
44 900 ֏ ×
от 3 шт. — 37 500 ֏
от 10 шт. — 35 600 ֏
SCTW100N65G2AG, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 А, 650 В, 0.02 Ом, TO-247
9-11 недель, 600 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
9-11 недель,
600 шт.
41 600 ֏ ×
от 5 шт. — 37 800 ֏
от 10 шт. — 33 700 ֏
SCTW35N65G2V, MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 45 A
8-10 недель, 1095 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
8-10 недель,
1095 шт.
12 800 ֏ ×
от 10 шт. — 12 200 ֏
от 25 шт. — 11 300 ֏
от 600 шт. — 10 500 ֏
SCTW35N65G2VAG, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 А, 650 В, 0.045 Ом, TO-247
9-11 недель, 558 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
9-11 недель,
558 шт.
21 000 ֏ ×
от 5 шт. — 19 000 ֏
от 10 шт. — 17 800 ֏
быстрый просмотр
9-11 недель,
90 шт.
22 900 ֏ ×
от 5 шт. — 20 800 ֏
от 10 шт. — 19 500 ֏
быстрый просмотр
8 недель,
1 шт.
19 600 ֏ ×
SCTWA30N120, MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm
8-10 недель, 561 шт.
Бренд: ST Microelectronics
быстрый просмотр
8-10 недель,
561 шт.
35 400 ֏ ×
от 10 шт. — 28 600 ֏
от 25 шт. — 25 000 ֏
от 50 шт. — 24 800 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60