Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor, стр.2

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
FCPF16N60NT, Транзистор, N-канал 600В 16А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.199 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35.7
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
4 070 ֏
2 640 ֏
×
от 15 шт. — 2 620 ֏
FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.26 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 388
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
3 400 ֏
2 200 ֏
×
от 15 шт. — 2 170 ֏
FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/11.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235
Крутизна характеристики, S: 29
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
4 070 ֏
2 580 ֏
×
от 15 шт. — 2 550 ֏
FDA24N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
3 340 ֏
2 080 ֏
×
от 15 шт. — 2 060 ֏
FDA24N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
4 000 ֏
2 620 ֏
×
от 15 шт. — 2 590 ֏
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
6 100 ֏
4 130 ֏
×
от 15 шт. — 4 090 ֏
FDA38N30, Транзистор, UniFET, N-канал, 300В, 38А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.085 Ом/19А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
3 160 ֏
1 940 ֏
×
от 15 шт. — 1 920 ֏
FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 392
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 320 ֏
×
от 15 шт. — 1 290 ֏
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
3 340 ֏
2 530 ֏
×
от 15 шт. — 2 500 ֏
FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 69
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.041 Ом/34.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 480
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
3 520 ֏
2 260 ֏
×
от 15 шт. — 2 240 ֏
FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Ом/6.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.6
Корпус: SuperSOT-6/SOT-23-6
быстрый просмотр
600 ֏
360 ֏
×
от 25 шт. — 342 ֏
FDD6635, Транзистор N-канал 35В 59А 0.010Ом [D-PAK / TO-252]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Крутизна характеристики, S: 53
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 280 ֏
730 ֏
×
от 15 шт. — 720 ֏
FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2.4А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
310 ֏
207 ֏
×
от 100 шт. — 200 ֏
FDN358P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 1.5А [SuperSOT-3]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.125 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
213 ֏ ×
от 100 шт. — 189 ֏
FDP025N06, Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 265
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 395
Крутизна характеристики, S: 200
Корпус: to-220
быстрый просмотр
5 300 ֏
3 520 ֏
×
от 15 шт. — 3 490 ֏
FDP032N08, Транзистор, PowerTrench, N-канал, 75В, 235А, 3.2мОм [TO220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 375
Крутизна характеристики, S: 180
Корпус: to-220
быстрый просмотр
4 250 ֏
2 720 ֏
×
от 50 шт. — 2 540 ֏
FDP047N08, Транзистор N-MOSFET 75В 164А TO220-3
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 164
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 268
Крутизна характеристики, S: 150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
4 370 ֏
2 430 ֏
×
от 15 шт. — 2 180 ֏
FDP18N50, Транзистор N-CH 500V 18A [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: to-220
быстрый просмотр
2 610 ֏
1 640 ֏
×
от 15 шт. — 1 620 ֏
FDP22N50N, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 22А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312.5
Корпус: to-220
быстрый просмотр
3 340 ֏
2 110 ֏
×
от 15 шт. — 2 090 ֏
FDP24N40, Транзистор N-MOSFET 400В 24А [TO-220-3]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 227
Корпус: to-220
быстрый просмотр
5 400 ֏
3 680 ֏
×
от 15 шт. — 3 660 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60