Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor, стр.3

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
FDP2532, Транзистор PowerTrench N-канал 150В 79А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 79
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.016 Ом/33А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Корпус: to-220
быстрый просмотр
2 670 ֏
1 720 ֏
×
от 15 шт. — 1 700 ֏
FDP3651U, Транзистор N-канал 100В 80А [TO-220AB]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/80А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 255
Корпус: to-220
быстрый просмотр
3 400 ֏
2 150 ֏
×
от 15 шт. — 2 140 ֏
FDP51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 320
Корпус: to-220
быстрый просмотр
2 670 ֏
2 120 ֏
×
от 15 шт. — 2 040 ֏
FDP52N20, Транзистор, UniFET, N-канал, 200В, 52А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 52
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/26А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 357
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 940 ֏
1 090 ֏
×
от 15 шт. — 1 080 ֏
FDP7030BL, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 60А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.009 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60
Корпус: to-220
быстрый просмотр
850 ֏
510 ֏
×
от 15 шт. — 489 ֏
FDPF12N50NZ, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 11.5А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/5.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 42
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
1 910 ֏ ×
от 15 шт. — 1 890 ֏
FDPF18N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 18А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38.5
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 480 ֏
×
от 15 шт. — 1 460 ֏
FDPF33N25T, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 33А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.094 Ом/16.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 370 ֏
×
от 15 шт. — 1 350 ֏
FDPF51N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 51А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/25.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 480 ֏
×
от 15 шт. — 1 460 ֏
FDPF5N50UT, Транзистор N-MOSFET 500В 4А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
1 040 ֏
590 ֏
×
от 15 шт. — 570 ֏
FDS4897C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 40В 6.2А/-4.4А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.2/4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6.2А, 10В/0.046 при 4.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 21/12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2 070 ֏
830 ֏
×
от 25 шт. — 680 ֏
FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А [SOIC-8-0.154]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9.5 Ом/12.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
427 ֏
×
от 5 шт. — 400 ֏
FDS8880, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 11.6А [SOIC-8-0.154"]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/11.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
407 ֏
239 ֏
×
от 25 шт. — 223 ֏
FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/7А, 10В/0.052 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11/19
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 280 ֏
780 ֏
×
от 25 шт. — 760 ֏
FDS8958B, Транзистор PowerTrench N/P-каналs 30В 6.4/-4.5А [SOIC-8-0.154"]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.4/4.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
372 ֏
×
от 25 шт. — 357 ֏
FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
4 340 ֏ ×
от 15 шт. — 4 180 ֏
FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В, 4 В [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 48
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
3 520 ֏
2 540 ֏
×
от 15 шт. — 2 510 ֏
FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
3 640 ֏
2 350 ֏
×
от 15 шт. — 2 320 ֏
FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 340 ֏
1 000 ֏
×
от 15 шт. — 940 ֏
FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/7.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
590 ֏
292 ֏
×
от 15 шт. — 273 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60