Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

51 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.03
Корпус: SOT-143
быстрый просмотр
267 ֏
159 ֏
×
от 50 шт. — 142 ֏
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
540 ֏
302 ֏
×
от 25 шт. — 290 ֏
IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
479 ֏
294 ֏
×
от 50 шт. — 260 ֏
IRF7380TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 80В, 3.6А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.073 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 4.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
910 ֏
570 ֏
×
от 25 шт. — 550 ֏
AO4826, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6.3А 4Вт [SOP-8]
11 дней, 3870 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 20 мОм/4.5A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
3870 шт.
83 ֏ ×
от 50 шт. — 76 ֏
AO4828, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6.5А 2.1Вт [SOP-8]
11 дней, 1239 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 30 мОм/6A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
1239 шт.
88 ֏ ×
от 100 шт. — 80 ֏
AO4832, Транзистор N-MOSFET 30В 10А 2Вт [SOP-8]
11 дней, 2640 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10.8 мОм/10A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 43
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
2640 шт.
62 ֏ ×
от 50 шт. — 57 ֏
AO4840, Транзистор 2N-MOSFET 60В 7А 4Вт [SOP-8]
11 дней, 2853 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 19 мОм/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
2853 шт.
112 ֏ ×
от 100 шт. — 101 ֏
AO4884, Транзистор 2N-MOSFET 40В 10А 2Вт [SOP-8]
11 дней, 3730 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 11 мОм/10A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 50
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
3730 шт.
78 ֏ ×
от 50 шт. — 70 ֏
AO6800, Транзистор 2N-MOSFET 30В 3.5А 1.14Вт [SOT23-6]
11 дней, 4220 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 30 мОм/3.4A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.14
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
11 дней,
4220 шт.
41 ֏ ×
от 50 шт. — 36 ֏
AO6802, Транзистор 2N-MOSFET 30В 3.5A 1.15Вт [SOT-23-6]
11 дней, 2992 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 40 мОм/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
11 дней,
2992 шт.
66 ֏ ×
от 100 шт. — 59 ֏
BSS138PS, Транзистор 2N-MOSFET 60В 0.3А 0.35Вт [SOT-23-6]
11 дней, 3020 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/0.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 0.1
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
11 дней,
3020 шт.
13 ֏ ×
от 100 шт. — 12 ֏
CEM9926A, Транзистор 2N-MOSFET 20В 6А [SOP-8]
11 дней, 3279 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 22 мОм/7A, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
3279 шт.
65 ֏ ×
от 100 шт. — 58 ֏
IRF7301TR, Транзистор 2N-MOSFET 20В 5.2А 2Вт [SOP-8]
11 дней, 8073 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 40 мОм/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
8073 шт.
92 ֏ ×
от 50 шт. — 83 ֏
IRF7303TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
11 дней, 5135 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 50 мОм/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
5135 шт.
92 ֏ ×
от 50 шт. — 83 ֏
IRF7313TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 6.5А 2Вт [SOP-8]
11 дней, 5270 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 29 мОм/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
5270 шт.
99 ֏ ×
от 50 шт. — 91 ֏
IRF7341TR, Транзистор 2N-MOSFET 55В 4.7А 2Вт [SOP-8]
11 дней, 3319 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 30 мОм/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
3319 шт.
92 ֏ ×
от 50 шт. — 83 ֏
IRF7351TR, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOP-8]
11 дней, 2378 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
2378 шт.
168 ֏ ×
от 50 шт. — 152 ֏
NDC7002N, Транзистор 2N-MOSFET 50В 0.51А 0.96Вт [SOT-23-6]
11 дней, 1966 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.51
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 Ом/0.51A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 0.4
Корпус: SOT-23-6
быстрый просмотр
11 дней,
1966 шт.
54 ֏ ×
от 100 шт. — 48 ֏
SI9945BDY, Транзистор 2N-MOSFET 60В 4.3А 1.7Вт [SOP-8]
11 дней, 3000 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 25 мОм/4.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
11 дней,
3000 шт.
113 ֏ ×
от 15 шт. — 110 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60