Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Infineon, стр.10

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
790 ֏
494 ֏
×
от 25 шт. — 451 ֏
IRF7314TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 20В, 5.3А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
376 ֏
×
от 25 шт. — 361 ֏
IRF7316TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 30В, 4.9А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
396 ֏
×
от 25 шт. — 379 ֏
IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 20B 6.6А/5.3A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6/5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6А, 4.5В/0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 20/5.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
540 ֏
298 ֏
×
от 25 шт. — 276 ֏
IRF7319TRPBF, Транзистор N+P-канал 30В 4.9А, [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5/4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14/7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 100 ֏
540 ֏
×
от 25 шт. — 472 ֏
IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
420 ֏ ×
от 50 шт. — 392 ֏
IRF7328TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала 30В 8.0А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 040 ֏
610 ֏
×
от 25 шт. — 580 ֏
IRF7329TRPBF, Транзистор HEXFET 2P-канала 12B 9.2A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.017 Ом/9.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
482 ֏ ×
от 25 шт. — 459 ֏
IRF7341TRPBF, Транзистор, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
510 ֏
349 ֏
×
от 50 шт. — 339 ֏
IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0178 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 880 ֏
1 240 ֏
×
от 25 шт. — 1 210 ֏
IRF7389TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 30В 7.3А/5.3А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3/5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В/0.058 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 14/7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 460 ֏
530 ֏
×
от 25 шт. — 463 ֏
IRF7401TRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал 20В 8.7А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/4.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
358 ֏
230 ֏
×
от 50 шт. — 211 ֏
IRF7404TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 6.7А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/3.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
364 ֏
234 ֏
×
от 50 шт. — 215 ֏
IRF7410TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 16А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.007 Ом/16А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 55
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 400 ֏
910 ֏
×
от 25 шт. — 820 ֏
IRF7413ZTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал 30В 13А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 62
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
285 ֏
263 ֏
×
от 50 шт. — 232 ֏
IRF7416TRPBF, Транзистор P-CH 30V 10A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/5.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 5.6
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
437 ֏
298 ֏
×
от 50 шт. — 275 ֏
IRF7455TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 15А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 44
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
431 ֏
276 ֏
×
от 50 шт. — 258 ֏
IRF7456TRPBF, МОП-транзистор, N-Канальный, 16 А, 20 В, 0.0047 Ом, 10 В, 2 В, [SOP-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0065 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 44
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
431 ֏
276 ֏
×
от 50 шт. — 258 ֏
IRF7465TRPBF, Транзистор Nкан 150В 1.9А, [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/1.14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 0.75
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
510 ֏
325 ֏
×
от 50 шт. — 305 ֏
IRF7470TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.013 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
433 ֏
×
от 50 шт. — 404 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60