Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor, стр.4

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.47 Ом/5.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 100 ֏ 640 ֏ ×	от 15 шт. — 620 ֏
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 195 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 700 ֏ 1 010 ֏ ×	от 15 шт. — 990 ֏
FQP17N40, Транзистор, QFET, N-канал, 400В, 16А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Корпус: to-220	быстрый просмотр	2 190 ֏ 1 450 ֏ ×	от 15 шт. — 1 430 ֏
FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.12 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 9.3 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 280 ֏ 710 ֏ ×	от 15 шт. — 680 ֏
FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/8.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 420 ֏ ×	от 20 шт. — 1 390 ֏
FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.17 Ом/9.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 139 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 160 ֏ 760 ֏ ×	от 15 шт. — 740 ֏
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/13.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Крутизна характеристики, S: 12.4 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 120 ֏ ×	от 15 шт. — 1 080 ֏
FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.7 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 54 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 280 ֏ 740 ֏ ×	от 15 шт. — 720 ֏
FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 32 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 160 ֏ 670 ֏ ×	от 15 шт. — 650 ֏
FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.082 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 700 ֏ 1 010 ֏ ×	от 15 шт. — 1 000 ֏
FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.052 Ом/16.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 127 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 280 ֏ 780 ֏ ×	от 15 шт. — 760 ֏
FQP44N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 43.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 43.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.039 Ом/21.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 146 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 400 ֏ 810 ֏ ×	от 15 шт. — 790 ֏
FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 158 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 280 ֏ 930 ֏ ×
FQP6N90C, Транзистор N-MOSFET 900В 6А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 240 ֏ ×	от 15 шт. — 1 230 ֏
FQPF13N50CF, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	2 610 ֏ 1 650 ֏ ×	от 15 шт. — 1 630 ֏
FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.8 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1 040 ֏ 580 ֏ ×	от 15 шт. — 550 ֏
FQPF4N90C, Транзистор N-CH 900V 4A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1 400 ֏ 860 ֏ ×	от 15 шт. — 840 ֏
FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1 160 ֏ 720 ֏ ×	от 15 шт. — 700 ֏
FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1 460 ֏ 910 ֏ ×	от 15 шт. — 880 ֏
FQPF7N65C, Транзистор N-CH 650V 7A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 52 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 200 ֏ ×	от 15 шт. — 1 180 ֏

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor, стр.4

ООО «ЧИП и ДИП»