Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor, стр.5

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FQPF8N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 8А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.55 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 59 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 240 ֏ ×	от 15 шт. — 1 230 ֏
FQPF9N50CF, МОП-транзистор, N-канальный, 9 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220f] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44 Крутизна характеристики, S: 6.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1 460 ֏ 920 ֏ ×	от 15 шт. — 900 ֏
FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.185 Ом/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 4.9 Корпус: IPAK	быстрый просмотр	790 ֏ 472 ֏ ×	от 15 шт. — 456 ֏
HUF75344G3, Транзистор, MOSFET N-CH Si 55В 75А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 285 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	3 400 ֏ 2 210 ֏ ×	от 15 шт. — 2 180 ֏
HUF75545P3, Транзистор, N-канал 75А 80В [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	2 190 ֏ 1 480 ֏ ×	от 15 шт. — 1 450 ֏
HUF76429S3ST, Транзистор, UltraFET, N-канал, 60В, 44А [TO-263AB / D2-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	1 100 ֏ 610 ֏ ×	от 15 шт. — 590 ֏
IRF530A, Транзистор, N-канал 100В 14А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 Ом/7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	730 ֏ 388 ֏ ×	от 15 шт. — 371 ֏
MMBF170LT1G, Транзистор MOSFET N-канал 60В 500vА [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	97 ֏ 73 ֏ ×
NDS9948, Транзистор 2P-канала 60В 2.3А 0.25Ом [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/2.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	590 ֏ 394 ֏ ×	от 10 шт. — 378 ֏
NTMFS4935NT1G, Транзистор N-CH 30V 93A [SO-8FL] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 93 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 32 Корпус: SO-8FL	быстрый просмотр	1 280 ֏ 690 ֏ ×	от 15 шт. — 670 ֏
NTMFS4C06NT1G, Транзистор N-MOSFET 30В 11A/69A [DFN-5(5x6)/SO-8FL] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 69 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30.5 Корпус: SO-8FL	быстрый просмотр	1 700 ֏ 1 050 ֏ ×	от 15 шт. — 1 040 ֏
NTMFS4C09NT1G, Транзистор MOSFET N-CH 30В 9А [SO-8 FL] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 52 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0058 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25.5 Корпус: SO-8FL	быстрый просмотр	730 ֏ 408 ֏ ×	от 15 шт. — 396 ֏
NTMFS5C430NLT1G, Транзистор MOSFET N-канал 40В 38А [DFN5/ SO-8FL EP] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0015 Ом/50А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: SO-8FL	быстрый просмотр	2 190 ֏ 1 310 ֏ ×	от 15 шт. — 1 290 ֏
RFP70N06, Транзистор, N-канал 60В 70А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/70А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	1 400 ֏ 840 ֏ ×	от 15 шт. — 810 ֏
SFP9530, Транзистор, P-канал 100В 10.5А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/5.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 66 Крутизна характеристики, S: 5.5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	790 ֏ 461 ֏ ×	от 15 шт. — 439 ֏
2N7002ET1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В 0.26А [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	20 ֏ ×	от 100 шт. — 15 ֏
2N7002-G Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	449 ֏ ×	от 5 шт. — 302 ֏
2N7002KW, Транзистор MOSFET N-CH 60V 0.31A [SOT-323] Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	391 ֏ ×
BS108ZL1G, Транзистор, N-канал [TO-92] [EOL] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8 Ом/0.1А, 2.8В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 0.33 Корпус: TO-92(Formed Leads)	быстрый просмотр	1 040 ֏ 610 ֏ ×
BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6 Ом/0.17А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.36 Крутизна характеристики, S: 370 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	90 ֏ ×	от 100 шт. — 77 ֏

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor, стр.5

ООО «ЧИП и ДИП»