Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.2

51 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363]
Бренд: MCC
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.05А, 5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2
Корпус: SOT-363
быстрый просмотр
419 ֏
181 ֏
×
от 100 шт. — 161 ֏
AO4822A, Транзистор 2N-MOSFET 30В 8А SOIC-8-0.154
Бренд: Alpha & Omega
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 30
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
590 ֏
448 ֏
×
от 3 шт. — 420 ֏
AO4828, Транзистор, 2 N-каннала, 60В, 4.5А, 0.056Ом [SO-8]
Бренд: Alpha & Omega
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
419 ֏
×
от 25 шт. — 386 ֏
FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]
10 дней, 852 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/7.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
10 дней,
852 шт.
190 ֏ ×
от 15 шт. — 174 ֏
FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8]
10 дней, 2400 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.026 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
10 дней,
2400 шт.
228 ֏ ×
от 15 шт. — 208 ֏
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 8.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
540 ֏
291 ֏
×
от 25 шт. — 268 ֏
IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
590 ֏
375 ֏
×
от 25 шт. — 361 ֏
IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
375 ֏
×
от 25 шт. — 354 ֏
IRF7313TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2N-канала, 30В, 6.5А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/5.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
790 ֏
510 ֏
×
от 25 шт. — 464 ֏
IRF7341TRPBF, Транзистор, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
510 ֏
359 ֏
×
от 50 шт. — 349 ֏
IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8]
10 дней, 5371 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
10 дней,
5371 шт.
485 ֏
336 ֏
×
от 50 шт. — 321 ֏
IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0178 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 880 ֏
1 270 ֏
×
от 25 шт. — 1 240 ֏
IRF7904TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 7.6А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0162 Ом/7.6А, 10В/0.0108 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 17/23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 160 ֏
740 ֏
×
от 25 шт. — 720 ֏
IRF7907TRPBF, Транзистор 2хN-канала 30В 11А, [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0164 Ом/9.1А, 10В/0.0118 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19/24
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2 610 ֏
1 810 ֏
×
от 25 шт. — 1 770 ֏
IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
850 ֏
590 ֏
×
от 25 шт. — 550 ֏
IRF9956TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 30В, 3.5А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
455 ֏
276 ֏
×
от 25 шт. — 258 ֏
IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF)
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0149 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
1 160 ֏
720 ֏
×
от 15 шт. — 700 ֏
IRL6372TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 8.1А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0179 Ом/8.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 30
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
391 ֏
×
от 25 шт. — 378 ֏
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]
Бренд: IR
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6
быстрый просмотр
364 ֏
221 ֏
×
от 50 шт. — 199 ֏
IRF8313PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 9.7А [SO-8]
Бренд: IR
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
870 ֏ ×
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60