Транзисторы полевые P-канальные, стр.7

296 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
APM4015PUC-TRL-VB, Транзистор P-MOSFET 40В 50А [TO-252]
2 недели, 1646 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3
Крутизна характеристики, S: 61
Корпус: TO-252
быстрый просмотр
2 недели,
1646 шт.
184 ֏ ×
от 100 шт. — 169 ֏
AUIRF4905, Транзистор, Auto Q101 Pкан -55В -74А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 74
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
4 070 ֏
2 720 ֏
×
от 15 шт. — 2 700 ֏
AUIRF6215, Транзистор, Auto Q101 Pкан -150В -13А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 290 ֏
×
от 15 шт. — 1 280 ֏
AUIRFR5305TR, Транзистор, Auto Q101 Pкан -55В -31А [D-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 440 ֏ ×
от 50 шт. — 1 370 ֏
AUIRFR6215, Транзистор, Auto Q101 Pкан -150В -13А [D-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.295 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 3.6
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
2 430 ֏
1 550 ֏
×
от 15 шт. — 1 530 ֏
BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223 (3-pin + Tab)
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/1.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.8
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
850 ֏
550 ֏
×
от 15 шт. — 520 ֏
BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-223]
2 недели, 677 шт.
Бренд: Nexperia
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.65
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
2 недели,
677 шт.
382 ֏
244 ֏
×
от 100 шт. — 226 ֏
BSP317PH6327XTSA1, Транзистор, P-канал, 250В 430мА 4Ом [SOT-223]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.43
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4 Ом/0.43А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.8
Крутизна характеристики, S: 0.76
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
2 300 ֏ ×
от 50 шт. — 2 230 ֏
FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2.4А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
310 ֏
204 ֏
×
от 100 шт. — 198 ֏
FDN358P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 1.5А [SuperSOT-3]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.125 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
211 ֏ ×
от 100 шт. — 187 ֏
FDN360P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 2А [SOT-23-3]
2 недели, 2339 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/2.2A/4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.2
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
2 недели,
2339 шт.
43 ֏ ×
от 100 шт. — 37 ֏
FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.47 Ом/5.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 100 ֏
630 ֏
×
от 15 шт. — 610 ֏
FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.12 Ом/8.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79
Крутизна характеристики, S: 9.3
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 280 ֏
700 ֏
×
от 15 шт. — 680 ֏
FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/8.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 400 ֏ ×
от 20 шт. — 1 370 ֏
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120
Крутизна характеристики, S: 12.4
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 110 ֏ ×
от 15 шт. — 1 070 ֏
FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.185 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 4.9
Корпус: IPAK
быстрый просмотр
790 ֏
467 ֏
×
от 15 шт. — 452 ֏
IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: TO-262
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 500 ֏
×
от 15 шт. — 1 430 ֏
IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
6 000 ֏
3 970 ֏
×
от 15 шт. — 3 950 ֏
IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 060 ֏
×
от 15 шт. — 1 000 ֏
IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/5.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
590 ֏
303 ֏
×
от 25 шт. — 265 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60