Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.7

_{331 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

APM4015PUC-TRL-VB, Транзистор P-MOSFET 40В 50А [TO-252] 10 дней, 1186 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/17А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3 Крутизна характеристики, S: 61 Корпус: TO-252	быстрый просмотр	10 дней, 1186 шт.	190 ֏ ×	от 100 шт. — 174 ֏
AUIRF4905, Транзистор, Auto Q101 Pкан -55В -74А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 74 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		4 070 ֏ 2 790 ֏ ×	от 15 шт. — 2 770 ֏
AUIRF6215, Транзистор, Auto Q101 Pкан -150В -13А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/6.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		2 190 ֏ 1 330 ֏ ×	от 15 шт. — 1 310 ֏
AUIRFR5305TR, Транзистор, Auto Q101 Pкан -55В -31А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		1 480 ֏ ×	от 50 шт. — 1 410 ֏
AUIRFR6215, Транзистор, Auto Q101 Pкан -150В -13А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.295 Ом/6.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 3.6 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		2 430 ֏ 1 590 ֏ ×	от 15 шт. — 1 570 ֏
BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223 (3-pin + Tab) Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/1.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.8 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр		850 ֏ 570 ֏ ×	от 15 шт. — 530 ֏
BSP250,115, Транзистор Enhancement Mode D-MOS, P-канал, 30В, 3А [SOT-223] 10 дней, 513 шт. Бренд: Nexperia Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.65 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	10 дней, 513 шт.	382 ֏ 251 ֏ ×	от 100 шт. — 232 ֏
BSP317PH6327XTSA1, Транзистор, P-канал, 250В 430мА 4Ом [SOT-223] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.43 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4 Ом/0.43А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.8 Крутизна характеристики, S: 0.76 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр		2 360 ֏ ×	от 50 шт. — 2 300 ֏
FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2.4А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр		310 ֏ 210 ֏ ×	от 100 шт. — 204 ֏
FDN358P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 1.5А [SuperSOT-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.125 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр		217 ֏ ×	от 100 шт. — 193 ֏
FDN360P, Транзистор PowerTrench P-канал 30В 2А [SOT-23-3] 10 дней, 2330 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/2.2A/4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.2 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	10 дней, 2330 шт.	44 ֏ ×	от 100 шт. — 38 ֏
FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.47 Ом/5.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Корпус: to-220	быстрый просмотр		1 100 ֏ 650 ֏ ×	от 15 шт. — 630 ֏
FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.12 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 9.3 Корпус: to-220	быстрый просмотр		1 280 ֏ 730 ֏ ×	от 15 шт. — 690 ֏
FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/8.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Корпус: to-220	быстрый просмотр		1 440 ֏ ×	от 20 шт. — 1 410 ֏
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/13.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Крутизна характеристики, S: 12.4 Корпус: to-220	быстрый просмотр		1 140 ֏ ×	от 15 шт. — 1 100 ֏
FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.185 Ом/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 4.9 Корпус: IPAK	быстрый просмотр		790 ֏ 481 ֏ ×	от 15 шт. — 465 ֏
IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: TO-262	быстрый просмотр		2 190 ֏ 1 540 ֏ ×	от 15 шт. — 1 480 ֏
IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		6 000 ֏ 4 080 ֏ ×	от 15 шт. — 4 070 ֏
IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		1 700 ֏ 1 090 ֏ ×	от 15 шт. — 1 030 ֏
IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/5.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		590 ֏ 312 ֏ ×	от 25 шт. — 273 ֏

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.7

ООО «ЧИП и ДИП»